BGH50N65ZF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; TO247-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 шт., срок 6 недель
3 240 руб.
от 5 шт. —
2 460 руб.
1 шт.
на сумму 3 240 руб.
Плати частями
от 810 руб. × 4 платежа
от 810 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Collector current | 50A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 308nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 357W |
| Pulsed collector current | 200A |
| Technology | Field Stop, SiC SBD, Trench |
| Turn-off time | 476ns |
| Turn-on time | 54ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.72 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1548 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
