B1M080120HK, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; TO247-4

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 шт., срок 6 недель

5 560 руб.

от 5 шт. — 4 510 руб.

1 шт. на сумму 5 560 руб.

Плати частями
от 1 390 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8014327034

Артикул: B1M080120HK

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Case	TO247-4
Drain current	27A
Drain-source voltage	1.2kV
Features of semiconductor devices	Kelvin terminal
Gate charge	149nC
Gate-source voltage	-5…20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	tube
Manufacturer	BASiC SEMICONDUCTOR
Mounting	THT
On-state resistance	80mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	241W
Pulsed drain current	80A
Technology	SiC
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	6.7

pdf, 2186 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем