Транзистор полевой YJD50N03A
![Транзистор полевой YJD50N03A](https://static.chipdip.ru/lib/505/DOC046505053.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1986 шт. со склада г.Москва
13 руб.
1 шт.
на сумму 13 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы\Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | - |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
Drain Source Voltage (Vdss) | - |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | - |
Вес, г | 0.46 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 574 КБ
Документация
pdf, 669 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.