J113 N-Channel JFET, Idss min. 2mA, 3-Pin TO-92

Фото 1/4 J113 N-Channel JFET, Idss min. 2mA, 3-Pin TO-92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
34 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт. на сумму 34 000 руб.
Плати частями
от 8 500 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8014478175
Артикул: J113

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\JFETs
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Технические параметры

Channel Type N
Configuration Single
Drain Gate On-Capacitance 28pF
Idss Drain-Source Cut-off Current min.2mA
Maximum Drain Gate Voltage 35V
Maximum Drain Source Resistance 100 Ω
Maximum Gate Source Voltage -35 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-92
Pin Count 3
Source Gate On-Capacitance 28pF
Transistor Configuration Single
Width 4.19mm
Brand ON Semiconductor/Fairchild
Drain-Source Current at Vgs=0 2 mA to 9 mA
Factory Pack Quantity 1000
Gate-Source Cutoff Voltage -3 V
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Style Through Hole
Operating Temperature Range -55 C to+150 C
Package / Case TO-92
Packaging Bulk
Part # Aliases J113_NL
Pd - Power Dissipation 625 mW
Product Category JFET
Rds On - Drain-Source Resistance 100 Ohms
RoHS Details
Series J113
Transistor Polarity N-Channel
Unit Weight 0.00709 oz
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage -35 V
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов