IXYH30N170C IGBT, 100 A 1700 V, 3-Pin TO247AD, Through Hole
![Фото 1/2 IXYH30N170C IGBT, 100 A 1700 V, 3-Pin TO247AD, Through Hole](https://static.chipdip.ru/lib/369/DOC043369832.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/256/DOC044256002.jpg)
8 050 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 050 руб.
Плати частями
от 2 014 руб. × 4 платежа
от 2 014 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) IGBTs with current ratings ranging from 29A to 178A, are well-suited for high-voltage, high-speed power conversion applications.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 937 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO247AD |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXYH30N170CV1
pdf, 197 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем