N-Channel MOSFET, 33 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRF540NSTRLPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Кратность заказа 800 шт.
800 шт.
на сумму 160 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор полевой IRF540NSTRLPBF от известного производителя INFINEON – это высококачественный компонент для современной электроники. С монтажом SMD и мощностью 3,8 Вт, этот N-MOSFET транзистор имеет ток стока 33 А и максимальное напряжение сток-исток 100 В, что делает его отличным выбором для управления мощными нагрузками. Корпус D2PAK обеспечивает надежную интеграцию в печатные платы. Используйте IRF540NSTRLPBF в своих проектах для обеспечения эффективного и стабильного управления электронными компонентами. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 33 |
Напряжение сток-исток, В | 100 |
Мощность, Вт | 3.8 |
Корпус | D2PAK |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
Maximum Drain Source Resistance | 44 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 130 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Series | HEXFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
Width | 9.65mm |
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 33 А |
Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
Максимальное рассеяние мощности | 130 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 9.65мм |
Высота | 4.83мм |
Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.67мм |
Типичное время задержки включения | 11 ns |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 39 нс |
Серия | HEXFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Максимальное сопротивление сток-исток | 44 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 71 нКл при 10 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1960 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 33A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 130W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 44mО© @ 16A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
Крутизна характеристики S,А/В | 21 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 44 |
Температура, С | -55…+175 |
Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
Емкость, пФ | 1960 |
Заряд затвора, нКл | 71 |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 33 |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 44 |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-3.8 Вт |
Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
Описание | MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
Тип | MOSFET |
Тип проводимости | N |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/800 |
Упаковка | REEL, 800 шт. |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов