N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-89 RHP020N06T100
![Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-89 RHP020N06T100](https://static.chipdip.ru/lib/375/DOC033375481.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/193/DOC033193171.jpg)
1740 шт., срок 6 недель
240 руб.
Кратность заказа 20 шт.
20 шт.
на сумму 4 800 руб.
Плати частями
от 1 200 руб. × 4 платежа
от 1 200 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 340 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-89 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
Width | 2.7mm |
Base Product Number | RHP020 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-243AA |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 2A, 10V |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
Supplier Device Package | MPT3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.