FP35R12W2T4B11BOMA1 3 Phase Bridge IGBT Module, 54 A 1200 V, 35-Pin EASY2B, PCB Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 580 руб.
Кратность заказа 15 шт.
15 шт.
на сумму 233 700 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 54 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 215 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | PCB Mount |
| Package Type | EASY2B |
| Pin Count | 35 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FP35R12W2T4B11BOMA1
pdf, 640 КБ
Datasheet FS25R12W1T4B11BOMA1
pdf, 208 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
