NCV5700DR2G, MOSFET 1, 6.8 A, 7.8 A, 30V 16-Pin, SO
![Фото 1/2 NCV5700DR2G, MOSFET 1, 6.8 A, 7.8 A, 30V 16-Pin, SO](https://static.chipdip.ru/lib/158/DOC024158777.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/529/DOC006529465.jpg)
530 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 5 300 руб.
Плати частями
от 1 325 руб. × 4 платежа
от 1 325 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Power Management ICs\Gate Drivers
The NCV5700 is a high-current, high-performance stand-alone IGBT driver for high power applications that include solar inverters, motor control and uninterruptable power supplies.
Технические параметры
Automotive Standard | AEC-Q100 |
Bridge Type | Half Bridge |
Fall Time | 7.9ns |
High and Low Sides Dependency | Independent |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Drivers | 1 |
Number of Outputs | 1 |
Output Current | 6.8 A, 7.8 A |
Package Type | SO |
Pin Count | 16 |
Polarity | Non-Inverting |
Rise Time | 9.2ns |
Supply Voltage | 30V |
Time Delay | 75ns |
Topology | High and Low Side |
Pd - рассеивание мощности | 900 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 9.2 ns |
Время спада | 7.9 ns |
Выходное напряжение | 5 V |
Выходной ток | 7.8 A |
Категория продукта | Драйверы для управления затвором |
Квалификация | AEC-Q100 |
Количество выходов | 1 Output |
Количество драйверов | 1 Driver |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Максимальное время задержки включения | 75 ns |
Максимальное время задержки выключения | 75 ns |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение питания - макс. | 20 V |
Отключение | Shutdown |
Подкатегория | PMIC - Power Management ICs |
Продукт | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
Рабочий ток источника питания | 900 uA |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Технология | Si |
Тип | Half Bridge |
Тип продукта | Gate Drivers |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SO-16 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем