P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V, 3-Pin DPAK RD3P130SPTL1
![Фото 1/2 P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V, 3-Pin DPAK RD3P130SPTL1](https://static.chipdip.ru/lib/159/DOC024159158.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC026367710.jpg)
5000 шт., срок 6 недель
170 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
2500 шт.
на сумму 425 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
RD3P130SP is a Power MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching. Low on-resistance. Fast switching speed.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
Maximum Drain Source Resistance | 230 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 20 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | RD3P130SP |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
Width | 6.4mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.