STGWA30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 шт., срок 6 недель
800 руб.
Кратность заказа 30 шт.
30 шт.
на сумму 24 000 руб.
Плати частями
от 6 000 руб. × 4 платежа
от 6 000 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 167 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 50А |
| Power Dissipation | 167Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HB2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247LL |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STGWA30H65DFB2
pdf, 508 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
