P-Channel MOSFET, 20 A, 20 V, 6-Pin WSON CSD25310Q2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
47 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 141 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
MOSFET, P-CH, -20V, -20A, WSON-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-20A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0199ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-850mV; Power Dissipation Pd:2.9W; Transistor Case Style:WSON; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:85°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2390000 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.55V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | WSON |
| Pin Count | 6 |
| Series | NexFET |
| Transistor Material | Si |
| Automotive | No |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 20 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 23.9@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 1.1 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2900 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Process Technology | NexFET |
| Standard Package Name | SON |
| Supplier Package | WSON EP |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 3.6@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 504@10V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Документация
pdf, 804 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
