DGD1003FTA-13 2 8-Pin, V-DFN3035-8

Фото 1/3 DGD1003FTA-13 2 8-Pin, V-DFN3035-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 5 000 руб.
Плати частями
от 1 250 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8014552611
Артикул: DGD1003FTA-13
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Power Management ICs\Gate Drivers
The DiodesZetex DGD1003 series is a high-voltage / high-speed gate driver capable of driving N-channel MOSFETs and IGBTs in a half-bridge configuration.

Технические параметры

Mounting Type Surface Mount
Number of Drivers 2
Package Type V-DFN3035-8
Pin Count 8
Brand: Diodes Incorporated
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 5000
Fall Time: 35 ns
Logic Type: TTL
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +125 C
Maximum Turn-Off Delay Time: 150 ns
Maximum Turn-On Delay Time: 70 ns
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Outputs: 2 Output
Off Time - Max: 90 ns
Operating Supply Current: 350 uA
Output Current: 290 mA, 600 mA
Output Voltage: 100 mV, 200 mV
Package / Case: V-DFN3035-8
Pd - Power Dissipation: 0.44 W
Product Category: Gate Drivers
Product Type: Gate Drivers
Product: Half-Bridge Drivers
Rise Time: 70 ns
Shutdown: No Shutdown
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 20 V
Supply Voltage - Min: 10 V
Technology: Si
Type: Half-Bridge
IC Case / Package V-DFN3035
Задержка Выхода 150нс
Задержка по Входу 680нс
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Количество Каналов 2канал(-ов)
Конфигурация Привода Полумост
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальное Напряжение Питания 20В
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Минимальное Напряжение Питания 10В
Стиль Корпуса Привода V-DFN3035
Тип переключателя питания MOSFET
Ток истока 290мА
Ток стока 600мА

Техническая документация

Datasheet
pdf, 763 КБ
Datasheet
pdf, 705 КБ
Datasheet
pdf, 755 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем