AIKW40N65DF5XKSA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 630 руб.

Кратность заказа 2 шт.

2 шт. на сумму 5 260 руб.

Плати частями
от 1 315 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8014554563

Артикул: AIKW40N65DF5XKSA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

The Infineon high speed F5 technology insulated-gate bipolar transistor offering best-in-class efficiency in hard switching and resonant topologies.

Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	74 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
Maximum Power Dissipation	250 W
Package Type	PG-TO247-3
Pin Count	3

pdf, 1992 КБ

Мы рекомендуем