AIKW75N60CTXKSA1 IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 130 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 130 руб.
Плати частями
от 1 034 руб. × 4 платежа
от 1 034 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with positive temperature coefficient in saturation voltage.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 428 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet AIKW75N60CTXKSA1
pdf, 1972 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 653 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 13 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 1 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем