IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 100 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 5 500 руб.
Плати частями
от 1 375 руб. × 4 платежа
от 1 375 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon high speed switching insulated-gate bipolar transistor copacked with full rated current rapid 1 antiparallel diode also has 650v breakdown voltage.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
| Maximum Power Dissipation | 105 W |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1558 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
