P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V, 3-Pin DPAK RD3P130SPFRATL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 шт., срок 6 недель
500 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 5 000 руб.
Плати частями
от 1 250 руб. × 4 платежа
от 1 250 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Rohm power MOSFET featured with low on resistance and fast switching speed. It has easy parallel use and low on resistance.
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mO |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | RD3 |
| Drain Source On State Resistance | 0.135Ом |
| Power Dissipation | 20Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.135Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1569 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
