N-Channel MOSFET, 1 A, 20 V, 3-Pin DFN1010 RV8C010UNHZGG2CR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7825 шт., срок 6 недель
88 руб.
Кратность заказа 25 шт.
25 шт.
на сумму 2 200 руб.
Плати частями
от 550 руб. × 4 платежа
от 550 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Rohm small signal MOSFET featured with leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 470 mO |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | DFN1010 |
| Pin Count | 3 |
| Series | RV8 |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
