FF1800R12IE5PBPSA1 Dual IGBT Module, 1.8 kA 1200 V, 10-Pin PRIME3+
![Фото 1/2 FF1800R12IE5PBPSA1 Dual IGBT Module, 1.8 kA 1200 V, 10-Pin PRIME3+](https://static.chipdip.ru/lib/212/DOC026212520.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/041/DOC006041602.jpg)
463 400 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 463 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon PrimePack dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT5 and .XT interconnection technology. It has collector emitter voltage of 1800 V.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Dual |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 1.8 kA |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 2 |
Package Type | PRIME3+ |
Pin Count | 10 |
Transistor Configuration | Dual |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 1.8кА |
DC Ток Коллектора | 1.8кА |
Выводы БТИЗ | Tab |
Конфигурация БТИЗ | Dual |
Линейка Продукции | PrimePACK 3+B |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 814 КБ
Datasheet FF1800R12IE5PBPSA1
pdf, 641 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов