FF600R12KE4EBOSA1 Common Emitter IGBT Module, 600 A 1200 V, 7-Pin 62 mm
![Фото 1/2 FF600R12KE4EBOSA1 Common Emitter IGBT Module, 600 A 1200 V, 7-Pin 62 mm](https://static.chipdip.ru/lib/897/DOC024897496.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/494/DOC004494600.jpg)
67 740 руб.
1 шт.
на сумму 67 740 руб.
Плати частями
от 16 935 руб. × 4 платежа
от 16 935 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon C series IGBT module with emitter controlled HE diode and fast TRENCHSTOP IGBT4. It has collector emitter voltage of 1200 V and collector current of 600 A.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Common Emitter |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 2 |
Package Type | 62 mm |
Pin Count | 7 |
Transistor Configuration | Common Emitter |
Другие названия товара № | FF600R12KE4_E SP001500374 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 600А |
DC Ток Коллектора | 600А |
Выводы БТИЗ | Stud |
Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | Dual, Common Emitter |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 602 КБ
Datasheet FF600R12KE4BOSA1
pdf, 603 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов