FF600R12ME4EB11BOSA1 Common Emitter IGBT Module, 600 A 1200 V, 13-Pin ECONODUAL

FF600R12ME4EB11BOSA1 Common Emitter IGBT Module, 600 A 1200 V, 13-Pin ECONODUAL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
74 830 руб.
1 шт. на сумму 74 830 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8014558318
Артикул: FF600R12ME4EB11BOSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EconoDual common emitter IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4 technology which has collector emitter voltage of 1200 V and collector current of 600 A.

Технические параметры

Channel Type N
Configuration Common Emitter
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 600 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
Number of Transistors 2
Package Type ECONODUAL
Pin Count 13
Transistor Configuration Common Emitter
Base Product Number FF600R12 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 995A
Current - Collector Cutoff (Max) 3mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 37nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C
Package Tray
Package / Case Module
Power - Max 4050W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 600A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов