Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT › Infineon › FP10R12W1T7B11BOMA1 IGBT Module ...

FP10R12W1T7B11BOMA1 IGBT Module, 10 A 1200 V EASY1B

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 260 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 13 260 руб.

Плати частями
от 3 315 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8014558319

Артикул: FP10R12W1T7B11BOMA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Технические параметры

Вид монтажа:	Screw Mount
Другие названия товара №:	FP10R12W1T7_B11 SP001655200
Конфигурация:	PIM
Максимальная рабочая температура:	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	20 V
Минимальная рабочая температура:	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	10 A
Подкатегория:	IGBTs
Продукт:	IGBT Silicon Modules
Производитель:	Infineon
Размер фабричной упаковки:	24
Серия:	Trenchstop IGBT7
Технология:	Si
Тип продукта:	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер:	100 nA
Торговая марка:	Infineon Technologies
Упаковка / блок:	AG-EASY1B-2
Упаковка:	Tray
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции	EasyPIM
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Максимальная Температура Перехода Tj	175°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 7(Trench/Field Stop)
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	10 A
Maximum Gate Emitter Voltage	20V
Maximum Power Dissipation	20 mW
Number of Transistors	7
Package Type	EASY1B
Вес, г	1