FP25R12W1T7B11BPSA1 IGBT Module, 25 A 1200 V EASY1B

Фото 1/3 FP25R12W1T7B11BPSA1 IGBT Module, 25 A 1200 V EASY1B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 680 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 16 680 руб.
Плати частями
от 4 170 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8014558320
Артикул: FP25R12W1T7B11BPSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EasyPIM three phase input rectifier power integrated modules IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7 technology.

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 25 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
Number of Transistors 7
Package Type EASY1B
Вид монтажа Screw Mount
Другие названия товара № FP25R12W1T7_B11 SP001656938
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP EasyPIM
Конфигурация PIM
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 25 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки 24
Серия Trenchstop IGBT7
Технология Si
Тип продукта IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Упаковка / блок AG-EASY1B-2
Base Product Number FP25R12 ->
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 25A
Current - Collector Cutoff (Max) 5.6ВµA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Three Phase Bridge Rectifier
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.77nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C
Package Tray
Package / Case Module
Power - Max 20mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series EasyPIMв„ў 1B ->
Supplier Device Package AG-EASY1B-2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 25A (Typ)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем