IFF600B12ME4PB11BPSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V ECONOD
![Фото 1/2 IFF600B12ME4PB11BPSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V ECONOD](https://static.chipdip.ru/lib/897/DOC024897512.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/007/DOC007007165.jpg)
75 400 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 75 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EconoDual dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4 technology which has collector emitter voltage of 1200 V.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Dual |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 2 |
Package Type | ECONOD |
Transistor Configuration | Dual |
Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
Вид монтажа | Press Fit |
Другие названия товара № | SP001377694 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 15 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 600 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Размер фабричной упаковки | 6 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IFF600B12ME4PB11BPSA1
pdf, 654 КБ
Datasheet IFF600B12ME4PB11BPSA1
pdf, 622 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов