Dual N-Channel MOSFET, 4.5 A, 45 V, 8-Pin SOP SP8K22HZGTB

Фото 1/3 Dual N-Channel MOSFET, 4.5 A, 45 V, 8-Pin SOP SP8K22HZGTB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5000 шт., срок 6 недель
270 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
2500 шт. на сумму 675 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8014564478
Артикул: SP8K22HZGTB
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM SP8K22HZG n automotive grade MOSFET that EC-Q101 qualified. Two Nch 45V MOSFETs are included in the SOP8 package.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 4.5 A
Maximum Drain Source Resistance 0.046 Ohm
Maximum Drain Source Voltage 45 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOP
Pin Count 8
Series SP8K22
Drain Source On State Resistance N Channel 0.033Ом
Drain Source On State Resistance P Channel 0.033Ом
Power Dissipation N Channel 2Вт
Power Dissipation P Channel 2Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 45В
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал 45В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал 45В
Непрерывный Ток Стока 4.5А
Непрерывный Ток Стока, N Канал 4.5А
Непрерывный Ток Стока, P Канал 4.5А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Рассеиваемая Мощность 2Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.033Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора SOP
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet SP8K22HZGTB
pdf, 1833 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.