Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 7 A, 9 A, 30 V, 8-Pin SOP SP8M4HZGTB

Фото 1/2 Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 7 A, 9 A, 30 V, 8-Pin SOP SP8M4HZGTB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 шт., срок 6 недель
590 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт. на сумму 2 950 руб.
Плати частями
от 739 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8014564487
Артикул: SP8M4HZGTB
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM SP8M4HZG n automotive grade MOSFET that EC-Q101 qualified. Nch+Pch 30V MOSFETs with ESD protection diode is included in the SOP8 package.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N, P
Maximum Continuous Drain Current 7 A, 9 A
Maximum Drain Source Resistance 0.018 Omh, 0.028 Omh
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOP
Pin Count 8
Series SP8M4
Drain Source On State Resistance N Channel 0.012Ом
Drain Source On State Resistance P Channel 0.012Ом
Power Dissipation N Channel 2Вт
Power Dissipation P Channel 2Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал 30В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал 30В
Непрерывный Ток Стока
Непрерывный Ток Стока, N Канал
Непрерывный Ток Стока, P Канал
Полярность Транзистора N and P Channel
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Рассеиваемая Мощность 2Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.012Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора SOP

Техническая документация

Datasheet SP8M4HZGTB
pdf, 4417 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.