FF600R12KE4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-62MM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
65 680 руб.
1 шт.
на сумму 65 680 руб.
Плати частями
от 16 420 руб. × 4 платежа
от 16 420 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon 62 mm 1200 V, 600 A dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT4 and emitter controlled diode.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Dual |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 1.2 kW |
Package Type | AG-62MM |
Transistor Configuration | Common Emitter |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 600А |
DC Ток Коллектора | 600А |
Выводы БТИЗ | Tab |
Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
Линейка Продукции | 62mm C |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FF600R12KE4BOSA1
pdf, 603 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов