Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Infineon › FP50R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-EASY2B

FP50R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-EASY2B

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

21 310 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 21 310 руб.

Плати частями
от 5 329 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8014564568

Артикул: FP50R12W2T7B11BOMA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

The Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 50 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.

Технические параметры

Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	50 A
Maximum Gate Emitter Voltage	20V
Maximum Power Dissipation	20 mW
Package Type	AG-EASY2B
Transistor Configuration	Common Emitter
Другие названия товара №	FP50R12W2T7_B11 SP001894018
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP ~ EasyPIM
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	15
Серия	Trenchstop IGBT7
Тип продукта	IGBT Modules
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Collector Emitter Saturation Voltage	1.5В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	50А
DC Ток Коллектора	50А
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	PIM
Линейка Продукции	EasyPIM TRENCHSTOP
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Максимальная Температура Перехода Tj	175°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.5В
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 7(Trench/Field Stop)
Вес, г	1