P-Channel MOSFET, 35 A, 40 V, 3-Pin DPAK RD3G03BATTL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
780 шт., срок 6 недель
310 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 3 100 руб.
Плати частями
от 775 руб. × 4 платежа
от 775 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET has TO-252 package type. It is mainly used for switching. Low on - resistance Fast switching speed
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.191 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RD3G03BATTL1
pdf, 2627 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
