RGS30TSX2HRC11 Single IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 шт., срок 6 недель
2 430 руб.
Кратность заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 4 860 руб.
Плати частями
от 1 215 руб. × 4 платежа
от 1 215 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ROHM field stop trench IGBT mainly used in as a heater for automotive. The power dissipation is 267 watts.
Технические параметры
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
Maximum Power Dissipation | 267 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247N |
Pin Count | 3 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 30А |
Power Dissipation | 267Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGS30TSX2HRC11
pdf, 998 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.