IHW50N65R6XKSA1 IGBT, 83 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 210 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 420 руб.
Плати частями
от 605 руб. × 4 платежа
от 605 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IHW50N65R6 is the 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 83 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 251 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1792 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
