FP35R12N2T7B11BPSA1 3 Phase IGBT, 35 A 1200 V, 23-Pin Module, Chassis Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 850 руб.
1 шт.
на сумму 33 850 руб.
Плати частями
от 8 464 руб. × 4 платежа
от 8 464 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon's EconoPIM 2, 35 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 35 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Number of Transistors | 7 |
| Package Type | Module |
| Pin Count | 23 |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FP35R12N2T7B11BPSA1
pdf, 643 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
