BGA9V1MN9E6327XTSA1 , RF Amplifier Low Noise, 21 dB 4200 MHz, 9-Pin TSNP-9-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 600 руб.
Плати частями
от 400 руб. × 4 платежа
от 400 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Amplifiers & Comparators\RF Amplifiers ICs
The Infineon a low noise amplifier for LTE and 5G which covers a wide frequency range from 3.3 GHz to 4.
Технические параметры
| Amplifier Type | Low Noise |
| Maximum Operating Frequency | 4200 MHz |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Package Type | TSNP-9-6 |
| Pin Count | 9 |
| Series | BGA9V1 |
| Typical 3dB Bandwidth | 3300 → 4200MHz |
| Typical Noise Figure | 0.75dB |
| Typical Power Gain | 21 dB |
| Количество Выводов | 9вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальная Частота | 4.2ГГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 2В |
| Минимальная Рабочая Температура | -30°C |
| Минимальная Частота | 3.3ГГц |
| Минимальное Напряжение Питания | 1.1В |
| Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы | TSNP |
| Типичное Значение Коэффициента Шума | 0.75дБ |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Усиление | 21дБ |
Техническая документация
Datasheet BGA9V1MN9E6327XTSA1
pdf, 805 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «ВЧ усилители»
Типы корпусов импортных микросхем
