N/P-Channel-Channel MOSFET, 8.5 A, 40 V, 8-Pin SOP SH8MB5TB1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3845 шт., срок 6 недель
380 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 900 руб.
Плати частями
от 475 руб. × 4 платежа
от 475 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The RHOM SH8MB5 series is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. The small surface mounting package (SOP8) contributes to space saving.
Технические параметры
| Channel Type | N, P |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.016 O, 0.019 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOP |
| Pin Count | 8 |
| Series | SH8MB |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 4.5 ns, 74 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.5 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOP-8 |
| Part # Aliases: | SH8MB5 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.6 nC, 51 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19.4 mOhms, 16.8 mOhms |
| Rise Time: | 6.3 ns, 45 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns, 130 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.5 ns, 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0149Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0149Ом |
| Power Dissipation N Channel | 2Вт |
| Power Dissipation P Channel | 2Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 40В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 40В |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 8.5А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 8.5А |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 4494 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
