N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK R6509END3TL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 6 недель
470 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 2 350 руб.
Плати частями
от 589 руб. × 4 платежа
от 589 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.585 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Drain Source On State Resistance | 0.53Ом |
| Power Dissipation | 94Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R6509END3TL1
pdf, 2145 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
