RGW00TS65DHRC11 Single IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 шт., срок 6 недель
2 960 руб.
1 шт.
на сумму 2 960 руб.
Плати частями
от 740 руб. × 4 платежа
от 740 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ROHM RGW series field stop trench IGBT suitable for automotive, on & off board computer, DC-DC converters, PFC, industrial inverter.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
Maximum Power Dissipation | 254 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247N |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Common Emitter |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.9 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 96 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 200 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247N-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | RGW00TS65DHR |
Pd - Power Dissipation: | 254 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGW00TS65DHRC11
pdf, 5792 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.