FZ825R33HE4DBPSA1 Single IGBT Module, 825 A 3300 V AG-IHVB130
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
329 300 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 329 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon single switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.4В |
| Collector Emitter Voltage Max | 3.3кВ |
| Continuous Collector Current | 825А |
| DC Ток Коллектора | 825А |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual, Common Emitter |
| Линейка Продукции | IHM-B |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 3.3кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 3300 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 825 A |
| Maximum Power Dissipation | 2400 kW |
| Number of Transistors | 2 |
| Package Type | AG-IHVB130 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 892 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
