VEMD5080X01, 20V 950nm 350nm~1100nm SMD-4P,4x5mm Photodiodes ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
220 руб.
от 150 шт. —
191 руб.
от 500 шт. —
158.75 руб.
5 шт.
на сумму 1 450 руб.
Плати частями
от 364 руб. × 4 платежа
от 364 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Точечный фотодиод, 950нм, 350-1100нм, 65°, Монтаж SMD
Технические параметры
| Automotive | Yes |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Maximum Dark Current (nA) | 10 |
| Maximum Fall Time (ns) | 70 |
| Maximum Forward Voltage (V) | 1.3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 110 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 215 |
| Maximum Reverse Voltage (V) | 20 |
| Maximum Rise Time (ns) | 70 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Surface Mount |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 4 |
| Peak Wavelength (nm) | 950 |
| Photodiode Type | PIN |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | Unknown |
| Standard Package Name | SMD |
| Supplier Package | SMD |
| Type | Chip |
| Amplifier Function | No |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Breakdown Voltage | 20V |
| Diode Material | Si |
| Minimum Wavelength Detected | 350nm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 4 |
| Package Type | QFN |
| Spectrums Detected | Infrared |
| Typical Fall Time | 70ns |
| Typical Rise Time | 70ns |
| Wavelength of Peak Sensitivity | 950nm |
| Width | 4mm |
| Вес, г | 0.36 |
