Dual SiC N-Channel MOSFET, 404 A, 1200 V, 7-Pin Half Bridge CAS300M12BM2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
273 300 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 2 733 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 2.5V |
| Maximum Continuous Drain Current | 404 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.8 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.66 kW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | Half Bridge |
| Pin Count | 7 |
| Transistor Configuration | Series |
| Transistor Material | SiC |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1025 nC @ 20 V, 1025 nC @ 5 V |
| Width | 61.4mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet CAS300M12BM2
pdf, 1730 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
