IKFW90N60EH3XKSA1 Single IGBT, 77 A 600 V, 3-Pin PG-TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 740 руб.
Кратность заказа 30 шт.
30 шт.
на сумму 82 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IKFW90N60EH3 is Very soft, fast recovery anti-parallel diode and it used 100% isolated mounting surface and also has high speed switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 77 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 30V |
| Maximum Power Dissipation | 178 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2009 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
