RGTH00TS65DGC13 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 85 A 650 V TO-247GE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 шт., срок 6 недель
2 410 руб.
Кратность заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 4 820 руб.
Плати частями
от 1 205 руб. × 4 платежа
от 1 205 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
ROHM Field Stop Trench IGBT is an IGBT with high speed switching. It has low collector emitter saturation voltage.
Технические параметры
| Configuration | Single Collector, Single Emitter, Single Gate |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 85 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 277 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247GE |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 888 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
