FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V
![FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V](https://static.chipdip.ru/lib/990/DOC025990550.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
73 980 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 73 980 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and servo drives etc. Electrical features
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 515 W |
Number of Transistors | 7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 868 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем