FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
71 150 руб.
1 шт.
на сумму 71 150 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 700 W |
| Number of Transistors | 6 |
| Base Product Number | FS150R12 -> |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 10.5nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 125В°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 700W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 150A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Техническая документация
Datasheet FS150R12KT3BOSA1
pdf, 454 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
