FS200R06KE3BOSA1 IGBT Module, 200 A 600 V EconoPACK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 430 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 684 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 600 V and toatal power dissipation is 600 W, maximum gate threshold voltage is 6.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 600 W |
| Number of Transistors | 6 |
| Package Type | EconoPACK |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 519 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
