FZ900R12KE4HOSA1 IGBT Module, 900 A 1200 V

FZ900R12KE4HOSA1 IGBT Module, 900 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
69 830 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 69 830 руб.
Плати частями
от 17 459 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8014774479
Артикул: FZ900R12KE4HOSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, ups systems, wind turbines etc.

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 900 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 4.3 kW
Number of Transistors 1

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем