FZ900R12KE4HOSA1 IGBT Module, 900 A 1200 V
![FZ900R12KE4HOSA1 IGBT Module, 900 A 1200 V](https://static.chipdip.ru/lib/183/DOC027183174.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
69 830 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 69 830 руб.
Плати частями
от 17 459 руб. × 4 платежа
от 17 459 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, ups systems, wind turbines etc.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 900 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 4.3 kW |
Number of Transistors | 1 |
Техническая документация
Datasheet FZ900R12KE4HOSA1
pdf, 689 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем