DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module, 40 A, 70 A 650 V
![DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module, 40 A, 70 A 650 V](https://static.chipdip.ru/lib/999/DOC025999670.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 530 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 19 530 руб.
Плати частями
от 4 884 руб. × 4 платежа
от 4 884 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A, 70 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 732 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем