N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V, 3-Pin TO-220AB R6535KNX3C16
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 шт., срок 6 недель
1 620 руб.
1 шт.
на сумму 1 620 руб.
Плати частями
от 405 руб. × 4 платежа
от 405 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM high-speed switching N channel 650 V, 35 A drain current power MOSFET are high-speed switching products, super junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency, this series products achieve higher efficiency via high-speed switching, h
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R6535KNX3C16
pdf, 3045 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
