N-Channel MOSFET, 33 A, 250 V, 3-Pin D2PAK RCJ331N25TL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 6 недель
830 руб.
Кратность заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 1 660 руб.
Плати частями
от 415 руб. × 4 платежа
от 415 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM N channel power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application, has 250 V drain-source voltage and 33 A drain current, taping packing type.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-263S |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2568 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
