IKQ100N60TXKSA1 IGBT, 160 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3-46
![Фото 1/2 IKQ100N60TXKSA1 IGBT, 160 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3-46](https://static.chipdip.ru/lib/470/DOC021470373.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171488.jpg)
4 420 руб.
1 шт.
на сумму 4 420 руб.
Плати частями
от 1 105 руб. × 4 платежа
от 1 105 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with positive temperature coefficient in saturation voltage has fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 160 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 714 W |
Package Type | PG-TO247-3-46 |
Pin Count | 3 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 160А |
Power Dissipation | 714Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOPT |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKQ100N60TXKSA1
pdf, 1925 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов