STGP3HF60HD, Транзистор: IGBT; 600В; 4,5А; 38Вт; TO220AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

19 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели

230 руб.

от 10 шт. — 150 руб.

1 шт. на сумму 230 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8014889757

Артикул: STGP3HF60HD

Transistors/Thyristors\IGBTs

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode

Collector Current (Ic)	7.5A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)	600V
Diode Reverse Recovery Time (Trr)	85ns
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)	2.95V@15V, 1.5A
Power Dissipation (Pd)	38W
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge)	12nC
Turn?off Delay Time (Td(off))	60ns
Turn?off Switching Loss (Eoff)	0.012mJ
Turn?on Delay Time (Td(on))	11ns
Turn?on Switching Loss (Eon)	0.019mJ
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STGP3HF60HD
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	7.5 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	38 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Collector Emitter Saturation Voltage	2.45В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	7.5А
Power Dissipation	38Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220
Вес, г	1